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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法对(d朝鲜领土面积多大相当于中国哪个省，朝鲜领土面积多大？相当于中国哪个省的面积uì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(ch朝鲜领土面积多大相当于中国哪个省，朝鲜领土面积多大？相当于中国哪个省的面积ū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(朝鲜领土面积多大相当于中国哪个省，朝鲜领土面积多大？相当于中国哪个省的面积cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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