大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén韵母带ao的字有哪些，带韵母ao的字有哪些字)称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(z韵母带ao的字有哪些，带韵母ao的字有哪些字hào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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