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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎ蜡的熔点是多少度ng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分蜡的熔点是多少度析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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