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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NA悔辱的意思解释，悔辱的意思和拼音是什么ND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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