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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī中国现在有多少士兵军人，目前中国有多少士兵)据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）中国现在有多少士兵军人，目前中国有多少士兵在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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