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尽管的关联词后面是什么,尽管的关联词表示什么关系

尽管的关联词后面是什么,尽管的关联词表示什么关系 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则(zé)突发消息。

  美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患,对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此,网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

  此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查,目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全,是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng),只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu),也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美尽管的关联词后面是什么,尽管的关联词表示什么关系(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng),江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

  美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少已经不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势,公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guā尽管的关联词后面是什么,尽管的关联词表示什么关系n)键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露,薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75%。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单,设备(bèi)国产化进程(chéng)加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等相关公司份(fèn)额(é)提升,以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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