大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí北京市有几个区，北京市有几个区,都叫什么)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被北京市有几个区，北京市有几个区,都叫什么加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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