大家(jiā)好(hǎo)，来(lái)看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已42周是几个月，42周是几个月保质期经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)42周是几个月，42周是几个月保质期露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。

未经允许不得转载：IDC站长站，IDC站长，IDC资讯--IDC站长站 42周是几个月，42周是几个月保质期