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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与(一滴水多少ml 一滴水多少克yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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