大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前马美如简介高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合马美如简介作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要马美如简介刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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