大家(jiā)好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎn王宝强身价多少亿，马蓉分了王宝强多少家产g)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quá王宝强身价多少亿，马蓉分了王宝强多少家产n)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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