大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRA反映问题还是反应问题，反应问题和反映问题有什么区别和联系M （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻反映问题还是反应问题，反应问题和反映问题有什么区别和联系蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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