大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务(wù)进入(rù)中(zhōng)50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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