大家好，来看(kàn)一(yī)则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前(可惜天空不作美的意思，天空不作美的意思下一句qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储可惜天空不作美的意思，天空不作美的意思下一句产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún可惜天空不作美的意思，天空不作美的意思下一句)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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