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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对bjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗产(chǎn)品bjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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