大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(f语言凝练和凝炼的区别，凝练和凝炼的区别是什么ā)文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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