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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全(quán含盐率公式的3种，盐水的含盐率公式)审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国(含盐率公式的3种，盐水的含盐率公式guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国(guó)家安(ān)全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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