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汴州是现在的什么地方,汴州是指今天的什么城市

汴州是现在的什么地方,汴州是指今天的什么城市 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全审查

  据网信办(bàn)消息(xī),日前,网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

  审查发(fā)现,美光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患,对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险,影响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此,网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

  此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全,是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国法(fǎ)律法规要求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全,防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家安全,依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》,网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》,对美光(guāng)公司(sī)(Micron)在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

  半导体突发(fā)!中国出手(shǒu):停(tíng)止采购!

  美光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头,也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一,2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年(nián)约11%。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公汴州是现在的什么地方,汴州是指今天的什么城市司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

  美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降,至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng),采购约(yuē)31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报汴州是现在的什么地方,汴州是指今天的什么城市显示,江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约,确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制,或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品

  分析称(chēng),长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤,同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽,催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单,设备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司(sī)份额提升,以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上(shàng)汴州是现在的什么地方,汴州是指今天的什么城市海(清洗)等收入增长。

 

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